Вуль Светлана Петровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Etching of wrinkled graphene oxide films in noble gas atmosphere under UV irradiation
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016),  81–86
2. Utilizing of the Medium-Energy Ion Scattering spectrometry for the composition investigation of graphene oxide films on silicon surface
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 5:1 (2014),  113–116
3. Полевой транзистор с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1718–1720
4. Влияние потока водорода на параметры слоев GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:13 (1991),  76–81
5. Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
   
   Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  662–665
6. Корреляционное распределение примесей в нелегированных эпитаксиальных слоях твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
   
   Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1227–1233
7. Прямое наблюдение высокоомных областей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$
   
   Письма в ЖТФ, 12:15 (1986),  912–916
8. Высокоселективный фоторезистор на основе твердых растворов в системе $Ga\,As-Ga\,Sb$
   
   Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  717–720
9. Высокоэффективный быстродействующий фоторезистор большой площади на диапазон длин волн $0.9$–$1.1$ мкм
   
   Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  7–11
10. О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  103–107