Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Экспериментальное наблюдение дырок в $n$-GaAs, высвободившихся
в результате оже-распада локализованных состояний
Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 713–717
-
Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида
галлия, выращенных на кремниевых подложках
Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1303–1305
-
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации
в эпитаксиальном $n$-GaAs
Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 82–92
-
Влияние интенсивности возбуждения на характер взаимодействия экситонов с дефектами и примесями
Физика твердого тела, 28:4 (1986), 1210–1212
-
Спектральные критерии оценки времени жизни свободных экситонов
Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1092–1099
© , 2024