Атакулов Ш Б

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизм термической деградации фоточувствительных слоев PbS
   
   Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  633–636
2. О межзонном рассеянии дырок в теллуриде висмута$-$сурьмы
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  539–540
3. Исследование структуры края валентной зоны в пленках теллурида висмута–сурьмы
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  557–559
4. Об эффекте Холла в сетке инверсионных каналов в поликристаллических пленках типа PbS
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  554–556
5. Электрические свойства поликристаллических пленок $n$-РbТе при $\gamma$-облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  150–152
6. Влияние $\gamma$-облучения на термоэлектрические свойства пленок $n$-PbTe
   
   ЖТФ, 56:7 (1986),  1430–1431
7. Механизм отрицательной фотопроводимости в блочных монокристаллических пленках электронного теллурида свинца
   
   Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1728–1731
8. Механизм изменения плотности локализованных состояний в поликристаллических пленках полупроводников при лазерном отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1710–1713
9. Механизм воздействия $\gamma$-излучения на термоэлектрические свойства пленок $n-Pb\,Te$
   
   Письма в ЖТФ, 12:16 (1986),  984–987
10. О диффузионном характере радиационной деградации фотопроводящих пленок сернистого свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2088–2091
11. О перколяционной проводимости фоточувствительных химически осажденных слоев сернистого свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1324–1326
12. К теории эффекта Холла в поликристаллических пленках сернистого свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2235–2237
13. Задача об узлах и холловская «подвижность»в поликристаллических пленках с потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1862–1867
14. Электрические свойства поликристаллических пленок Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_3$ при $\gamma$-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1095–1098