|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Тонкая структуры $A$-линии связанного экситона в твердом растворе
GaAs$_{x}$P$_{1-x}:{}$N
Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 644–652
-
Параметры зонной структуры твердых растворов Si$_{x}$Ge$_{1-x}$
Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1604–1607
-
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи
комнатной температуры
Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 795–799
-
Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом
фотоотражения
Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1280–1282
-
Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов
(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 162–164
-
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых
растворах: донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 64–67
-
Фотоэффект, индуцированный эффектом Штарка на связанном экситоне
в GaP : N
Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1107–1108
-
Рефракция света в полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 969–991
-
Глубокий донорный уровень в твердом растворе $Ga\,As_{1-x}\,P_{x}$
Письма в ЖТФ, 13:14 (1987), 847–848
-
Влияние изменений параметров зонной структуры на энергетический
спектр и сечение оптического поглощения связанных экситонов: азот
в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 672–676
-
Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$
Письма в ЖТФ, 12:17 (1986), 1043–1045
-
Магнитооптический эффект Фарадея в полупроводниках
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ и твердых растворах на их основе
Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1612–1616
-
Край собственного поглощения и катодолюминесценция нелегированных
эпитаксиальных слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N
Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1462–1466
© , 2024