Цветков В Ф

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Широкозонные твердые растворы (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1437–1447
2. Термическая эффузия водорода в пленках $a$-C : H, полученных методом плазмохимического осаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  77–81
3. Исследование растворимости и диффузии в системах SiC$-$NbC, SiC$-$TiC, SiC$-$ZrC
   
   Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  80–83
4. Получение аморфных гидрогенизированных широкозонных полупроводников $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H в реакторе с вынесенной подложкой
   
   Письма в ЖТФ, 17:16 (1991),  46–49
5. Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных $p{-}n$-переходов на основе карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  821–824
6. Теплопроводность карбида кремния в области температур 300$-$3000 K
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  258–263
7. Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  162–164
8. Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  298–300
9. Примесное оптическое поглощение и энергетическая структура $1s$-состояний доноров в $4H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  194–197
10. Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1168–1171
11. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$
    
    Письма в ЖТФ, 12:17 (1986),  1043–1045
12. Упрощение кристаллической решетки $\mathrm{6H}$–$Si\,C$ при легировании изовалентными примесями
    
    Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  749–752
13. Электроперенос в сильно легированном $6H-Si\,C\langle N\rangle$
    
    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  14–18
14. Люминесценция карбида кремния в связи с отклонениями от стехиометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1194–1198
15. Оценка важнейших электрофизических параметров твердых растворов карбид кремния-нитриды A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  737–741