RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Смирнов Борис Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Микроструктура, упругие и неупругие свойства биоморфных углеродов, карбонизированных с использованием Fe-содержащего катализатора

    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2393–2399
  2. Прочность и микропластичность биоуглеродов, полученных карбонизацией в присутствии катализатора

    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  685–691
  3. Теплопроводность частично графитизированных биоуглеродов, полученных карбонизацией микродревесной фибры в присутствии Ni-содержащего катализатора

    Физика твердого тела, 58:1 (2016),  200–206
  4. Влияние сильного электрического поля на проводимость ВТСП керамики системы YBaCuO

    Физика твердого тела, 34:8 (1992),  2482–2486
  5. Рентгенографические исследования IN SITU деформируемых кристаллов LiF

    Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2107–2110
  6. Большие локальные деформации при высокотемпературном нагружении кристаллов фтористого лития

    Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1759–1764
  7. Исследование YBaCuO-керамик методами аннигиляции позитронов и обратного резерфордовского рассеяния

    Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1502–1509
  8. Эмиссионные явления при двойниковании кристаллов NaNO$_{2}$

    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  985–988
  9. Влияние одноосного сжатия на вольт-амперные характеристики ВТСП-пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$

    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  879–881
  10. Исследование монокристаллов Sm$_{1-x}$Gd$_{x}$S методом дифференциальной сканирующей калориметрии

    Физика твердого тела, 34:1 (1992),  119–123
  11. Аннигиляция позитронов в высокотемпературных сверхпроводниках на основе YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$

    Физика твердого тела, 33:10 (1991),  3016–3020
  12. Генерация вакансий и изменение плотности щелочно-галоидных кристаллов при пластической деформации

    Физика твердого тела, 33:9 (1991),  2513–2526
  13. Влияние слабых магнитных полей и транспортного тока на микропластичность ВТСП керамики в области $S\to N$ перехода

    Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2198–2204
  14. Влияние структуры на свойства сверхпроводящей керамики системы Y$-$Ba$-$Cu$-$O

    Физика твердого тела, 33:1 (1991),  166–173
  15. Электропластический эффект в поляризованных сегнетоэлектрических кристаллах NaNO$_{2}$

    Физика твердого тела, 33:1 (1991),  93–98
  16. Микротвердость монокристаллов различных высокотемпературных сверхпроводников

    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3163–3165
  17. Влияние одноосного сжатия на вольт-амперные характеристики керамики YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ в слабых магнитных полях

    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2818–2820
  18. Плотность дислокаций в кристаллах LiF, деформированных в вакууме

    Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2486–2488
  19. Упрочнение кристаллов KCl при воздействии внешнего электрического поля

    Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2373–2376
  20. Изменение характеристик сверхпроводящего перехода в системе Y$-$Ba$-$Cu$-$O при действии механической нагрузки

    Физика твердого тела, 32:4 (1990),  1031–1037
  21. Влияние содержания кислорода в ВТСП системе YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ на температурный спектр скоростей неупругой деформации

    Физика твердого тела, 31:12 (1989),  105–108
  22. Электромеханические эффекты в ВТСП

    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  292–294
  23. Температурный спектр скоростей неупругой деформации высокотемпературных сверхпроводников системы Y$-$Ba$-$Cu$-$O

    Физика твердого тела, 31:4 (1989),  271–273
  24. Неупругая деформация керамики Y$-$Ba$-$Cu$-$O в сверхпроводящем и нормальном состояниях

    Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3503–3505
  25. Электризация сегнетоэлектрических монокристаллов NaNO$_{2}$ при пластической деформации

    Физика твердого тела, 30:10 (1988),  2996–3001
  26. Особенности изменения дислокационной структуры кристаллов LiF при смене температуры деформации 293$\rightleftarrows$4.2 K

    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  897–899
  27. Особенности фазового перехода полупроводник–металл при одноосном сжатии монокристаллов Sm$_{0.86}$Gd$_{0.14}$S

    Физика твердого тела, 29:12 (1987),  3683–3685
  28. Влияние напряженности электрического поля на электропластический эффект в кристаллах KCl

    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1826–1831
  29. Движение дислокаций в кристаллах LiF под действием электрического поля

    Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2796–2801
  30. Влияние температуры деформации на изменение плотности кристаллов LiF

    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1862–1865
  31. Влияние пластической деформации на концентрацию центров окраски в облученных кристаллах LiF и КСl

    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1533–1534
  32. Электропластический эффект в сегнетоэлектрических монокристаллах NaNO$_{2}$

    Физика твердого тела, 27:11 (1985),  3369–3372
  33. Экспериментальное определение внутренних напряжений на оборванной стенке краевых дислокаций

    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2826–2829
  34. Кристаллография скольжения и характеристики пластичности сегнетоэлектрических кристаллов NaNO$_{2}$

    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2519–2521
  35. Электризация щелочно-галоидных кристаллов, деформируемых одиночным и множественным скольжением

    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3294–3299
  36. Разрушение бикристаллов LiF с границей кручения при одиночном скольжении

    Физика твердого тела, 26:8 (1984),  2520–2522
  37. Электропластический эффект в полимерах

    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  933–935
  38. Плотность дислокаций в кристаллах LiF, деформированных в интервале температур 4.2$-$300 K

    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  702–707
  39. Влияние примеси на электропластический эффект в щелочно-галоидных кристаллах

    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1523–1525
  40. Влияние смены знака деформации на поведение краевых компонент дислокаций в кристаллах LiF

    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1339–1343
  41. Влияние высокого гидростатического давления на поведение кристаллов SmS при деформировании

    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1328–1333
  42. Исследование дефектной структуры межфазной границы металл–полупроводинк в SmS методом высоковольтной электронной микроскопии

    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  541–546
  43. Дислокационная структура и амплитуднозависимое внутреннее трение кристаллов LiF

    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  519–524
  44. Некоторые рентгенографические методы изучения пластически деформированных металлов

    УФН, 73:3 (1961),  503–558


© МИАН, 2024