Кораблев Вадим Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование параметров ближнего порядка в аморфных пленках с помощью протяженной тонкой структуры в спектрах полного выхода вторичных электронов
   
   Физика твердого тела, 34:3 (1992),  979–981
2. Методика и результаты исследования кинетики поверхностной ЭДС в GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  323–327
3. Спектроскопия истинно-вторичных электронов с угловым разрешением для вольфрама с пониженной работой выхода
   
   Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2112–2117
4. Влияние структуры адсорбата на проявление электронного строения подложки в спектрах медленных вторичных электронов с угловым разрешением
   
   Физика твердого тела, 30:4 (1988),  1038–1042
5. Особенности спектра пороговых потенциалов выхода вторичных электронов титаната бария
   
   Физика твердого тела, 30:1 (1988),  286–288
6. Взаимосвязь двух различных подходов к описанию вторичной эмиссии монокристаллов
   
   Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1602–1604
7. Расчетные и экспериментальные спектры медленных вторичных электронов, эмиттированных под разными углами к поверхности (100) W
   
   Физика твердого тела, 29:3 (1987),  702–705
8. Определение скорости поверхностной рекомбинации полупроводников с помощью электронного возбуждения
   
   Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  911–915
9. Проявление зонной структуры твердого тела в спектрах вторичных электронов с угловым разрешением
   
   Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2648–2654
10. Ориентационные эффекты взаимодействия электронов с монокристаллами в спектроскопии потенциалов возбуждения мягкого рентгеновского излучения
    
    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2196–2198
11. Определение средних длин свободного пробега электронов в твердом теле на основе спектроскопии потенциалов возбуждения мягкого рентгеновского излучения
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1928–1931
12. Функция распределения медленных вторичных электронов в полупроводнике при электронном возбуждении
    
    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1569–1571
13. Влияние электронного облучения на потенциал поверхности полупроводников
    
    ЖТФ, 56:11 (1986),  2231–2233
14. Влияние свойств области пространственного заряда полупроводника на вторичную электронную эмиссию
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  603–606
15. О механизме образования тонкой структуры на угловых зависимостях спектров потенциалов возбуждения мягкого рентгеновского излучения монокристаллов
    
    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2834–2835
16. Влияние угла падения первичных электронов на амплитуду оже-пиков и их низкоэнергетичных сателлитов для монокристаллов
    
    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2533–2535
17. Влияние угла падения электронов на спектры потенциалов возбуждения мягкого рентгеновского излучения монокристалла V(100)
    
    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2198–2200
18. О моделях задачи зондирования потенциального рельефа электронным лучом
    
    ЖТФ, 54:6 (1984),  1198–1201
19. Ориентационный эффект при эмиссии Оже-электронов различных энергий из монокристаллов
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3527–3531
20. Угловые зависимости спектров потенциалов возбуждения мягкого рентгеновского излучения монокристаллов
    
    Физика твердого тела, 25:3 (1983),  647–652
21. Вторично-эмиссионные методы исследования структуры и состава приповерхностных слоев твердых тел
    
    УФН, 122:3 (1977),  528–529