Марков А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  525–529
2. Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  507–511
3. Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  187–189
4. Формирование неоднородности состава кристаллов арсенида галлия, обусловленной дислокациями
   
   ЖТФ, 59:2 (1989),  106–110
5. Изменение электрических параметров полуизолирующего GaAs при термообработке
   
   Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1791–1795
6. О связи концентрации глубоких центров EL2 и плотности дислокаций в полуизолирующем GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1702–1704
7. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  44–48
8. О роли дислокаций в формировании свойств монокристаллов полуизолирующего GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  634–640
9. К вопросу о причинах макроскопической неоднородности монокристаллов нелегированного полуизолирующего арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  154–157
10. Комплексообразование и термостабильность электрофизических свойств монокристаллов полуизолирующего GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  465–470