Вейнгер Анатолий Иосифович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Обнаружение ферромагнитных свойств Si:P в области фазового перехода изолятор-металл
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:11 (2022),  730–735
2. Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  313–318
3. Микроволновое магнитопоглощение в HgSe с примесью Co и Ni
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1413–1418
4. Особенности электронного парамагнитного резонанса примеси железа в кристаллах HgSe
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  317–322
5. Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1573–1577
6. Осцилляции микроволнового магнитопоглощения в кристаллах HgSe с примесью Fe
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  847–852
7. Магнитозависимое микроволновое поглощение в HgSe в слабых магнитных полях
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  172–176
8. Влияние сильного СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых $p{-}n$-переходов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1041–1047
9. О природе СВЧ поглощения в сверхпроводящей керамике YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ в слабых магнитных полях
   
   Физика твердого тела, 31:1 (1989),  294–297
10. Аномальное СВЧ поглощение в магнитонаполненных низкомолекулярных каучуках
    
    Письма в ЖТФ, 15:21 (1989),  59–61
11. Электрические свойства кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2001–2007
12. $N$-образность ВАХ кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1972–1978
13. Исследование неустойчивостей, возникающих в германии при эксклюзии возбужденных светом носителей заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  552–554
14. Парамагнитные и электрические свойства трансмутационной примеси фосфора в 6$H{-}$SiC
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1659–1664
15. Эксклюзия неравновесных носителей тока при высоком уровне оптического возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  543–546
16. Кинетика эксклюзии при высоком уровне оптического возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  400–406
17. Отжиг радиационных дефектов в $n$-SiC ($6H$), обученном нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2014–2019
18. Особенности фотоэлектрических характеристик $n{-}p$-перехода в сильных боковых электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  825–830


19. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894