Румянцев Валерий Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1374–1379
2. Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1666–1668
3. Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров гетероструктур с $p{-}n$-переходом в люминесцирующем материале
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  143–150
4. Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные ($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ
   
   Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  1–5
5. Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1757–1761
6. Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений
   
   Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  56–59
7. Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света
   
   Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  7–12
8. Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  597–600
9. Ориентационные эффекты при жидкофазной эпитаксии AlGaAs структур
   
   ЖТФ, 58:9 (1988),  1789–1792
10. Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1775–1779
11. Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного диапазона токов ($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2057–2060
12. Низкопороговые ($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K) полосковые квантоворазмерные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1537–1540
13. Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å) поверхностными AlGaAs-слоями, полученными методом ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1429–1433
14. Инжекционный отжиг дефектов AlGaAs-структур солнечных элементов в процессе радиационного облучения
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  121–125
15. «Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы
    
    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  76–79
16. Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1212–1216
17. Высокоэффективные информационно-энергетические AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  435–439
18. Низкопороговые (${j_{\text{п}}= 230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  381–383
19. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093
20. Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа AlGaAs гетерофотоэлементов
    
    ЖТФ, 55:6 (1985),  1124–1129
21. Низкая скорость поверхностной рекомбинации (${S =10^{4}}$ см/с) в эпитаксиальном $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1826–1829
22. Фотолюминесцентные свойства и электронное строение поверхности анодно окисленного $n$-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  110–113
23. К вопросу об эффективности фотоэлектрического преобразования коротких импульсов излучения
    
    ЖТФ, 54:5 (1984),  979–982
24. Каскадные Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  121–125
25. Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$ перехода
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1658–1660
26. Электролюминесцентные исследования солнечных $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs гетерофотоэлементов с распределенными параметрами
    
    ЖТФ, 53:2 (1983),  329–332
27. Взаимное влияние широкозонного и узкозонного фотоэлементов при работе каскадных $n$-GaAs${-}p$-AlGaAs${-}n$-AlGaAs-гетерофотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  446–448
28. Закономерности формообразования вольтамперных характеристик солнечных элементов с распределенными параметрами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  358–361
29. Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs солнечные фотоэлементы с КПД 19% (AM 0) и 24% (AM 1.5)
    
    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1251–1254
30. Фотоэлектролюминесценция в AlGaAs-гетероструктуpax
    
    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1058–1061
31. Концентраторные фотоэлектрические батареи на основе AlGaAs$-$GaAs солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 9:2 (1983),  102–104