RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Хвостиков Владимир Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1091–1094
  2. Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959
  3. Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей

    ЖТФ, 90:12 (2020),  2118–2122
  4. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения

    ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
  5. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
  6. Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33
  7. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей

    Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
  8. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп

    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
  9. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
  10. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
  11. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  31–38
  12. Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения

    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  42–48
  13. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679
  14. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
  15. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
  16. Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  132–137
  17. Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм

    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  125–131
  18. Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе

    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1666–1668
  19. Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  614–628
  20. Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные ($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  1–5
  21. Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1757–1761
  22. Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1539–1549
  23. Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений

    Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  56–59
  24. Быстродействующая оптоэлектронная интегральная схема «инжекционный лазер — полевой транзистор» на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  70–74
  25. Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  7–12
  26. Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»

    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  597–600
  27. Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой GaAs

    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  20–24
  28. Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1775–1779
  29. Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного диапазона токов ($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2057–2060
  30. Электропоглощение при волноводном прохождении света через двойную гетероструктуру AlGaAs с квантоворазмерным слоем

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1548–1552
  31. Низкопороговые ($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K) полосковые квантоворазмерные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1537–1540
  32. Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å) поверхностными AlGaAs-слоями, полученными методом ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1429–1433
  33. Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å

    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176
  34. Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1212–1216
  35. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией

    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093

© МИАН, 2024