Абдусаттаров А Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2221–2223
2. Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  502–504
3. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами фосфора в кремнии $n$-типа при электронном (импульсном) облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2106–2109
4. Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов в $n$-германии при электронном и гамма-облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1826–1831
5. Скорость образования $A$-центров в кремнии при электронном импульсном облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  164–167
6. Связывание доноров у группы в электрически неактивные комплексы при облучении П-германия электронами с энергией 1 МэВ
   
   Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1461–1464