Михнович В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пары Френкеля в германии и кремнии (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  22–44
2. Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  181–184
3. Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения
   
   Физика твердого тела, 31:3 (1989),  306–308
4. Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей заряда в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1395–1399
5. Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  425–428
6. Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  184–185
7. Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1137–1139
8. Модель кинетики формирования областей разупорядочения в полупроводниках с учетом деформаций
   
   Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  750–753
9. О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  243–247
10. О рекомбинации на областях разупорядочения в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  537–541
11. Влияние упругих напряжений на кинетику формирования областей разупорядочения в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  167–170
12. Отжиг областей разупорядочения в $n$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1670–1673
13. Межузельная стадия формирования областей разупорядочения в $n$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1668–1670
14. Модель зарядовой зависимости реакций формирования скоплений радиационных дефектов в полупроводниках
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1361–1367
15. Зависимость скорости формирования $E$-центров в кремнии от вида легирующей донорной примеси
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1698–1701
16. Формирование и рекомбинационная эффективность точечных радиационных дефектов в электростатическом поле областей разупорядочения в $n$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  786–789