Абдурахманов К П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1075–1078
2. Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2227–2229
3. Исследование диффузии меди в профилированном кремнии, полученном способом А.В. Степанова
   
   Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1891–1893
4. Влияние никеля на кинетику образования и отжига термических центров в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1301–1303
5. Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом А. В.  Степанова
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2088–2090
6. Радиационное дефектообразование в диодных структурах с различной интенсивностью
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  510–512
7. Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  20–23
8. Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  185–186
9. Растворимость олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором
   
   Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2219–2220
10. Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства $n$-Si$\langle$Mn$\rangle$ с помощью DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1617–1619
11. Сэндвич-фоторезистор на основе Si$\langle$Mn$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1511–1512
12. Диффузия олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1182–1185
13. Некоторые особенности кинетики отжига термических центров в $p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1173–1175
14. Влияние высокого гидростатического давления на энергию активации уровней Мn в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1159–1161
15. Взаимодействие кислорода с марганцем в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1158–1159
16. Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  349–350
17. Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  213–216
18. О некоторых особенностях дифференциальной проводимости туннельных структур металл–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1850–1852