|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Термическая генерация неосновных носителей заряда у границы раздела
полупроводник$-$диэлектрик через глубокий уровень в приповерхностном слое
обеднения
Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2048–2056
-
Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных
слоистых структур на основе сильно легированного Si$\langle\text{As}\rangle$
с блокированной проводимостью по примесной зоне
Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2024–2030
-
Определение электронных характеристик границ раздела
полупроводник$-$диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности
и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов
Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2017–2023
-
Определение сечения фотоионизации легирующих примесей
в полупроводниках из измерений эффекта Холла
Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1096–1099
-
Электронные характеристики модуляционно-легированных гетеропереходных
структур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 62–65
-
Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии
локализованных электронных состояний с непрерывным спектром
Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 503–506
-
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных
состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик
Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 159–165
-
Динамика проявлений флуктуационного потенциала и поверхностного
рассеяния в кинетических характеристиках инверсионного Si${-}n$-канала
Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2122–2128
-
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных
$n$-каналах Si$-$МОП структур
Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1618–1624
-
Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках
$n$-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций
Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1365–1369
-
Динамическая релаксационная спектроскопия — определение параметров
локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции
Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1199–1202
-
Межпримесная рекомбинация дырок через $A^{+}$-состояния в слабо
компенсированном $p$-Si
Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1011–1015
-
Идентификация пространственной локализации пограничных состояний
в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора
Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 758–760
-
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо
компенсированных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 586–592
-
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник–диэлектрик
при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 237–242
-
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний
и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах
Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 223–228
-
Релаксация заполнения объемных уровней в полупроводнике,
стимулированная электрическим полем приповерхностного слоя обеднения
Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1924–1927
-
Релаксационная спектроскопия пограничных состояний в МДП структурах
с учетом туннельных переходов носителей заряда в свободную зону
Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 461–465
-
Проявления $A^{+}$-центров и $A^{+}_{2}$-комплексов в кинетике
релаксации примесной фотопроводимости дырочного кремния
Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 217–221
-
Определение параметров пограничных состояний методом
термостимулированного разряда МДП конденсатора в режиме постоянной емкости
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 208–213
-
К определению холловской концентрации и подвижности в слоях инверсии
на поверхности полупроводников
Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1003–1007
-
Квазианомалии плотности поверхностных состояний у краев разрешенных
зон полупроводника, граничащего с диэлектриком
Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 138–140
-
Особенности эффекта де Гааза-ван Альфена в пространственно-неоднородных образцах
Физика твердого тела, 26:1 (1984), 276–277
-
Тонкая структура зависимости электропроводности поверхностных каналов
на $n$-Si от поперечного поля и особенности их перехода к режиму
инверсии
Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1686–1688
-
Особенность в изменении плотности локализованного заряда
при смещении уровня Ферми
на границе раздела двух однотипных полупроводников
Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 690–693
-
Электропроводность полупроводников с межгранульными границами
и спектроскопия пограничных состояний при наличии туннельного тока
Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 390–393
© , 2024