Баранский П И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  975–980
2. Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  751–756
3. Рекомбинация в Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te ($x\cong 0.28{-}0.35$, $y\cong 0.01{-}0.02$)
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1183–1187
4. Механизм изменения подвижности носителей заряда при ультразвуковой обработке полупроводниковых твердых растворов
   
   Физика твердого тела, 32:7 (1990),  2159–2161
5. Явления переноса и рекомбинация в твердых растворах Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\sim 0.1$)
   
   Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1490–1493
6. Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  121–125
7. Роль малоугловых границ в изменении электрофизических параметров кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te под действием ультразвука
   
   Физика твердого тела, 31:9 (1989),  278–281
8. О прыжковой проводимости в полупроводниковом алмазе
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2214–2217
9. Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих электрических полях
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2069–2071
10. Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках в условиях электрон-фононного увлечения
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  355–356
11. Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев $n$-GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  158–161
12. Влияние сильных одноосных упругих деформаций на проводимость по примесной зоне в $n$-Ge$\langle$Sb$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1477–1479
13. Влияние поверхностной проводимости на гальваномагнитные эффекты в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1021–1025
14. Симметрия тензора пьезотермоэдс в кристаллах германия и кремния $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  718–723
15. Коммутационный эффект в деформированных кубических полупроводниках (четная часть)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  335–337
16. Температурная зависимость подвижности дырок в полупроводниковом синтетическом алмазе
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  75–79
17. Анизотропия подвижности и деформационные потенциалы валентной зоны германия при сильной одноосной деформации
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2112–2115
18. Влияние ультразвука на гальваномагнитные эффекты в $n$-(Cd, Hg)Te
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1104–1106
19. Пьезосопротивление, связанное с искривлениями энергетического рельефа дна зоны проводимости кристаллов $n$-Si, упруго деформированных в направлении $\langle111\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  770–773
20. Термоэлектрические характеристики упруго-деформированного $n$-германия в области электрон-фононного увлечения
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  356–357
21. Коммутационный эфект в одноосно деформированных $n$-кремнии и $n$-германии. III
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  221–226
22. Механизмы пьезосопротивления в сильно легированных кристаллах $n$-Ge при 4.2 K
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1898–1899
23. Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных $n$-кремнии и $n$-германии. II
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1774–1779
24. Пьезосопротивление и эффект Холла сильно легированных кристаллов $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1768–1770
25. Влияние условий термообработки на пьезотермоэдс увлечения в трансмутационно-легированных и обычных кристаллах кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1712–1715
26. Пьезосопротивление вырожденных кристаллов $n$-Si вдоль и поперек оси деформации
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1411–1413
27. Отрицательное пьезосопротивление в трансмутационно-легированных кристаллах $n$-Si при одноосной упругой деформации
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  947–949
28. Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках кубической системы. I
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  497–501
29. « Внутризонная» анизотропия рассеяния носителей тока в пластически деформированном $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2224–2227
30. Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2053–2056
31. Тензор Холла в одноосно деформированных полупроводниках кубической симметрии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1841–1845
32. Температурная зависимость анизотропии термоэдс увлечения в одноосно деформированном $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1059–1063
33. Определение параметра анизотропии термоэдс увлечения при деформации $n$-Si в направлении [110]
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  538–540
34. Сравнение экспериментальных и теоретических данных по анизотропии рассеяния носителей тока в монокристаллах $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1118–1120
35. Механизмы рассеяния носителей тока, ответственные за формирование магнитопьезосопротивления $n$-Si в области сильных упругих деформаций
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1064–1067
36. Электрическое поле в круглой полупроводниковой пластинке, помещенной в магнитное поле
    
    Прикл. мех. техн. физ., 7:5 (1966),  64–72