Кольченко Т И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых подложках, методами фотолюминесценции и емкостной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1574–1578
2. Эффективность введения электронных ловушек в арсениде галлия при высокотемпературном облучении электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1169–1174
3. Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  545–550
4. Дефектообразование в $n$-InP при повышенных температурах облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  267–270
5. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных хлоридным методом
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2117–2120
6. Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в $n$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1963–1968
7. Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в $n$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1123–1126
8. Модификация центра $E3$ в облученном $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  295–299
9. Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  77–81
10. Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия, содержащем изовалентную примесь индия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  626–629
11. О возможной природе остаточных глубоких центров в фосфиде индия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  546–548
12. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  166–168
13. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в $n$-InP при облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1311–1313
14. О дефектах, возникающих в $n$-InP при низкотемпературном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  740–741
15. Образование электронных ловушек в $n$-InP при облучении $\gamma$-квантами
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1075–1078
16. Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  327–330
17. Об определении параметров глубоких центров из сложных спектров нестационарной емкости
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  237–242
18. Изучение глубоких центров в нейтронно-легированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2088–2090
19. Глубокие центры в $p^{+}{-}p{-}n{-}n^{+}$-структурах высоковольтных диодов на основе арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  1995–1998