Саченко Анатолий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  485–492
2. Новый механизм реализации омических контактов
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  138–142
3. Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния
   
   Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  40–49
4. Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  3–11
5. Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов
   
   Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  88–96
6. Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si
   
   Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38
7. К вопросу об омичности контактов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  777–784
8. Моделирование реальных значений кпд высокоэффективных кремниевых солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  531–537
9. Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  259–263
10. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  82–87
11. Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76
12. Влияние фриделевских осцилляций на емкость двойного электрического слоя
    
    Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2287–2290
13. Эффект усиления фототока в структурах полупроводник$-$туннельно-прозрачный диэлектрик$-$полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  295–304
14. К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1867–1870
15. Поверхностная релаксация энергии и отрицательная дифференциальная проводимость тонких образцов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  522–524
16. Вольт-амперная характеристика МТДП структур в режиме стационарного лавинного пробоя
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1729–1732
17. Кинетика фотоответа и механизм протекания тока в кремниевых структурах полупроводник–тонкий диэлектрик–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1444–1450
18. Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  876–880
19. Фотомагнитный эффект в структурах Si$-$SiO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  257–262
20. Физические ограничения эффективности фотопреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1468–1472
21. Спектральные зависимости фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Теоретические соотношения
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1782–1786
22. Кинетика фотоответа туннельных МДП структур
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1471–1477
23. Фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1361–1376