Шаховцов В И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Центры дилатации в облученном электронами кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1928–1931
2. Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1864–1869
3. О некоторых механизмах влияния тепловой предыстории на поведение параметров кремния под облучением
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1857–1863
4. Электронные свойства бистабильных дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1795–1799
5. Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si : Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1129–1132
6. Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1126–1129
7. Структура ИК поглощения кислорода в германии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1051–1055
8. Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si : Ge, облученных нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  993–996
9. Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем» $\gamma$-облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  374–376
10. Эффективность аннигиляции компонентов пар Френкеля на атомах кислорода в Si
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  914–916
11. Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  746–748
12. Упругие напряжения в Si с электрически пассивными примесями
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  704–706
13. Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  250–252
14. Подвижность носителей тока в твердых растворах Ge$_{1-x}$Si$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  48–51
15. Время жизни первичных радиационных дефектов в кремнии
    
    ЖТФ, 58:6 (1988),  1180–1181
16. Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
    
    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2220–2223
17. Влияние примеси олова на накопление радиационных дефектов в $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1149–1151
18. Влияние германия на внутренние упругие напряжения в кислородосодержащем кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  313–315
19. Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  285–288
20. Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в $n$-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  215–218
21. Рекомбинация в $n$-Si при термообработке и облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  206–209
22. Отжиг метастабильных пар Френкеля в $n$-Ge, облученном электронами с энергией 0.6 МэВ и 1.2 МэВ
    
    Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2299–2302
23. Влияние германия на свойства Si${-}S1$-центра в твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2217–2220
24. Рекомбинация в Si после термообработки и $\gamma$-облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2082–2084
25. Исследование электронной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Атомы С, Ge и их комплексы с вакансиями
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1837–1841
26. О механизме дефектообразования в сплавах Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электронном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  570–573
27. Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах Si$\langle$Ge$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  562–565
28. Исследование колебательных спектров поглощения кислорода в твердых растворах Si$\langle$Ge$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2222–2225
29. Влияние термоотжига и $\gamma$-облучения на изменение удельного сопротивления $n$-германия в магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2109–2111
30. Влияние закалки на свойства мелких доноров в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1884–1886
31. Уширение полос поглощения водородоподобных центров в кремнии с изовалентными примесями
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1647–1653
32. Определение сдвиговой константы деформационного потенциала $\Theta_{u}$ в трансмутационно-легированных кристаллах кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1107–1109
33. Деформационные заряды изовалентных примесей в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  270–274
34. ЭПР тензозондов в кремнии, легированном гадолинием
    
    Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1824–1829
35. К вопросу о радиационной стойкости кремниевых магниточувствительных транзисторов
    
    ЖТФ, 55:6 (1985),  1247–1248
36. Эффективность образования дефектов в $n$-Si при облучении электронами с энергией 1 МэВ
    
    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2202–2204
37. Изучение локальных искажений ячеечного потенциала доноров в сплаве Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ методами ЭПР и спин-решеточной релаксации
    
    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3338–3346
38. Исследование радиационных дефектов в сплаве Si$-$Ge методом ЭПР и ИК спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2020–2023
39. Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1490–1492
40. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1349–1351
41. Распределение пар Френкеля по расстояниям в облученных кремнии и германии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  437–440


42. Антонина Федоровна Прихотько (К восьмидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 149:4 (1986),  733–734