|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Теория полевого эффекта в туннельно-резонансной гетероструктуре
с селективным рассеянием
Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1302–1314
-
Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом
Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 17–29
-
Перенос электронов через нерезкий $\Gamma X$-гетеропереход
Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1772–1784
-
Инверсия двойного заряженного слоя при прямом смещении
слабопрозрачного изотипного гетероперехода
Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1222–1226
-
Моделирование переноса электронов в реальном пространстве
гетероструктуры GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (для малых и больших
значений $x$)
Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1087–1094
-
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 401–408
-
$\Gamma X$-перенос в реальном пространстве $N$-ОДП в слоистой
структуре
Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 346–352
-
$\Gamma X$-перенос в реальном пространстве: вклад рассеяния
на междолинных фононах
Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2171–2178
-
Дрейфовая скорость горячих электронов в обогащенных слоях
при нетемпературном характере их распределения по энергии
Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 304–311
-
Транзисторы на горячих электронах
Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1537–1555
-
Многозначная анизотропия электропроводности и $N$-ОДП
в трехмерной гетероструктуре с пространственным переносом горячих
электронов
Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1820–1825
-
Перегревная оптическая бистабильность в дырочных и электронных
полупроводниках, обусловленная поглощением ИК излучения свободными
носителями
Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 785–791
-
Фотозахват межслойных доменных стенок в многодолинных полупроводниках
в условиях многозначной анизотропии проводимости
Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 442–448
-
Энергетическое распределение электронов, взаимодействующих
с оптическими фононами в поле ИК излучения. Расчет методом Монте-Карло
Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 251–256
-
Многозначная анизотропия электропроводности в коротких образцах
кремния
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 300–303
-
Многозначные распределения горячих электронов по эквивалентным
долинам полупроводника в переменных электрических полях
Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2231–2234
-
Многозначная анизотропия многодолинных полупроводников с учетом
металлических контактов
Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 905–912
-
Контактные явления в полупроводнике с двойным протеканием
Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 438–445
-
Пространственное распределение фотоносителей в полупроводнике
при высоких уровнях возбуждения
Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2130–2137
-
Дрейфовая междолинная биполярная неустойчивость в несобственном полупроводнике
Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 508–512
-
Дрейфовое распределение носителей тока в полупроводнике при их
разогреве пространственно неоднородным излучением
Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1438–1445
-
Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах
УФН, 119:1 (1976), 3–47
-
Исправление к статье «$\Gamma X$-перенос в реальном
пространстве: $N$-ОДП в слоистой структуре»
(ФТП. 1990. Т. 24. В. 2. С. 346$-$352)
Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 940
© , 2024