RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Грибников З С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Теория полевого эффекта в туннельно-резонансной гетероструктуре с селективным рассеянием

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1302–1314
  2. Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  17–29
  3. Перенос электронов через нерезкий $\Gamma X$-гетеропереход

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1772–1784
  4. Инверсия двойного заряженного слоя при прямом смещении слабопрозрачного изотипного гетероперехода

    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1222–1226
  5. Моделирование переноса электронов в реальном пространстве гетероструктуры GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (для малых и больших значений $x$)

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1087–1094
  6. Двумерные ганновские домены в слоистых структурах

    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  401–408
  7. $\Gamma X$-перенос в реальном пространстве $N$-ОДП в слоистой структуре

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  346–352
  8. $\Gamma X$-перенос в реальном пространстве: вклад рассеяния на междолинных фононах

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2171–2178
  9. Дрейфовая скорость горячих электронов в обогащенных слоях при нетемпературном характере их распределения по энергии

    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  304–311
  10. Транзисторы на горячих электронах

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1537–1555
  11. Многозначная анизотропия электропроводности и $N$-ОДП в трехмерной гетероструктуре с пространственным переносом горячих электронов

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1820–1825
  12. Перегревная оптическая бистабильность в дырочных и электронных полупроводниках, обусловленная поглощением ИК излучения свободными носителями

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  785–791
  13. Фотозахват межслойных доменных стенок в многодолинных полупроводниках в условиях многозначной анизотропии проводимости

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  442–448
  14. Энергетическое распределение электронов, взаимодействующих с оптическими фононами в поле ИК излучения. Расчет методом Монте-Карло

    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  251–256
  15. Многозначная анизотропия электропроводности в коротких образцах кремния

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  300–303
  16. Многозначные распределения горячих электронов по эквивалентным долинам полупроводника в переменных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2231–2234
  17. Многозначная анизотропия многодолинных полупроводников с учетом металлических контактов

    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  905–912
  18. Контактные явления в полупроводнике с двойным протеканием

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  438–445
  19. Пространственное распределение фотоносителей в полупроводнике при высоких уровнях возбуждения

    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2130–2137
  20. Дрейфовая междолинная биполярная неустойчивость в несобственном полупроводнике

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  508–512
  21. Дрейфовое распределение носителей тока в полупроводнике при их разогреве пространственно неоднородным излучением

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1438–1445
  22. Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах

    УФН, 119:1 (1976),  3–47

  23. Исправление к статье «$\Gamma X$-перенос в реальном пространстве: $N$-ОДП в слоистой структуре» (ФТП. 1990. Т. 24. В. 2. С. 346$-$352)

    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  940


© МИАН, 2024