Конакова Р В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  485–492
2. Новый механизм реализации омических контактов
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  138–142
3. К вопросу об омичности контактов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  777–784
4. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  82–87
5. Межфазные взаимодействия в тонкопленочных поверхностно-барьерных структурах Pt$-$GaAs
   
   ЖТФ, 62:8 (1992),  88–94
6. Упорядоченная латеральная неоднородность переходного слоя в системе AuGe$-$GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 18:16 (1992),  10–13
7. Пробой кремниевых $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-диодов
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1754–1758
8. Столкновительное уширение оптических спектров и его связь с подвижностью
   
   Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1138–1141
9. Влияние $\gamma$-радиации на поверхностную генерацию-рекомбинацию в полупроводниковых структурах на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1640–1646
10. Радиационное упорядочение на границе раздела металл$-$InP
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  326–329
11. Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  322–325
12. Структурно-примесное упорядочение под действием малых доз проникающей радиации
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  1977–1982
13. Эффект заполнения примесных уровней в спектрах поверхностно-барьерного электроотражения GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  678–681
14. Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного гетерирования
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1885–1887
15. К определению скорости рекомбинации на границе раздела гетеропереходов Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  402–407
16. Электрические характеристики термо- и радиационно-стойких лавинных диодов на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1575–1577
17. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1349–1351