RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Корбутяк Д В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Температурная зависимость спектров фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs

    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3350–3356
  2. Особенности термической делокализации экситонов в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs

    Физика твердого тела, 34:10 (1992),  3256–3259
  3. Оптическое усиление в квантовых сверхрешетках GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1696–1701
  4. Исследование лазерного геттерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1688–1692
  5. Генезис спектров низкотемпературной фотолюминесценции и энергетические состояния носителей заряда в короткопериодных сверхрешетках

    Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2418–2422
  6. Экситоны в спектрах люминесценции сверхтонких пленок PbI$_{2}$

    Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1339–1344
  7. Спектроскопия $\delta$-легированных слоев GaAs : Si

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  27–31
  8. Особенности спектров оптического усиления квазидвумерной электронно-дырочной плазмы

    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2020–2023
  9. Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe$\langle\text{Se}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1062–1067
  10. Экситонные спектры тонких пленок CdTe, полученных методом лазерного напыления

    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2825–2828
  11. Излучательные характеристики неравновесных длинноволновых плазмонов в электронно-дырочной плазме

    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  798–802
  12. Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  322–325
  13. Обнаружение радиационно-стимулированного структурного упорядочения гетеросистемы GaAs$-$Si по спектрам низкотемпературной фотолюминесценции

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1704–1706
  14. Фотолюминесценция и ЭПР селенида галлия, легированного редкоземельными элементами

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1710–1713
  15. Поляритонные эффекты в InSe, содержащем макроскопические включения

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  977–984
  16. Фотолюминесцентные свойства моноселенида индия, интеркалированного кадмием

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  814–817


© МИАН, 2024