Тхорик Юрий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Межфазные взаимодействия в тонкопленочных поверхностно-барьерных структурах Pt$-$GaAs
   
   ЖТФ, 62:8 (1992),  88–94
2. Упорядоченная латеральная неоднородность переходного слоя в системе AuGe$-$GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 18:16 (1992),  10–13
3. Стимулированные ультразвуком структурные изменения в напряженных гетеросистемах
   
   Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2340–2344
4. Столкновительное уширение оптических спектров и его связь с подвижностью
   
   Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1138–1141
5. Сильно легированные и сильно компенсированные гетероэпитаксиальные пленки германия
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  393–399
6. Акустостимулированная релаксация внутренних механических напряжений в гетероструктурах
   
   Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1310–1313
7. Атермическое возбуждение движения дислокаций электронным пучком в гетероэпитаксиальных пленках германия
   
   Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1260–1263
8. Влияние радиации на излучательную и безызлучательную рекомбинацию в гетеросистемах на основе GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  322–325
9. К определению скорости рекомбинации на границе раздела гетеропереходов Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  402–407
10. Электрические характеристики термо- и радиационно-стойких лавинных диодов на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1575–1577
11. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1349–1351