Литовченко Владимир Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость спектров фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs
   
   Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3350–3356
2. Аномальный фотоэмиссионный ток в контакте металл$-$полупроводник с микрорельефной поверхностью
   
   Физика твердого тела, 34:8 (1992),  2647–2654
3. Оптическое усиление в квантовых сверхрешетках GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
   
   Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1696–1701
4. Генезис спектров низкотемпературной фотолюминесценции и энергетические состояния носителей заряда в короткопериодных сверхрешетках
   
   Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2418–2422
5. Исследование пространственного распределения дефектов и механических напряжений в кремнии, имплантированном ионами углерода
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1704–1710
6. Поверхностные плазменные поляритоны в среде с пространственно-неоднородным переходным слоем
   
   Физика твердого тела, 32:10 (1990),  2857–2861
7. Экситоны в спектрах люминесценции сверхтонких пленок PbI$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1339–1344
8. К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  207–212
9. Особенности спектров оптического усиления квазидвумерной электронно-дырочной плазмы
   
   Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2020–2023
10. Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar$^{+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1961–1966
11. Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1302–1303
12. Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe$\langle\text{Se}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1062–1067
13. Особенности электронной структуры углеродных конденсатов
    
    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3449–3451
14. Экситонные спектры тонких пленок CdTe, полученных методом лазерного напыления
    
    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2825–2828
15. Излучательные характеристики неравновесных длинноволновых плазмонов в электронно-дырочной плазме
    
    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  798–802
16. Радиационная перестройка глубоких центров в барьерных структурах арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  156–159
17. Влияние $\gamma$-радиации на поверхностную генерацию-рекомбинацию в полупроводниковых структурах на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1640–1646
18. Исследование процессов дефектообразования в имплантированных структурах при эпитаксиальном росте пленок
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1174–1179
19. Радиационное упорядочение на границе раздела металл$-$InP
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  326–329
20. Обнаружение радиационно-стимулированного структурного упорядочения гетеросистемы GaAs$-$Si по спектрам низкотемпературной фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1704–1706
21. Оптические свойства и структура пленок $a$-Si, свободных от подложки
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2138–2141
22. Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного гетерирования
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1885–1887
23. Эффект радиационного упорядочения в гетеропереходах ($p$-Si)$-$($n$-GaP)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1808–1811
24. Электроотражение кристаллов ZnP$_{2}$ моноклинной сингонии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1712–1714
25. Электроотражение карбида кремния в видимой и ближней инфракрасной областях спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1269–1271
26. Фотолюминесценция и ЭПР селенида галлия, легированного редкоземельными элементами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1710–1713
27. Влияние аморфизации на энергетические состояния валентных электронов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1642–1647
28. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах Si$_{x}$Ge$_{1-x}{-}$GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1349–1351
29. Поляритонные эффекты в InSe, содержащем макроскопические включения
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  977–984
30. Фотолюминесцентные свойства моноселенида индия, интеркалированного кадмием
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  814–817
31. Эффект анизотропного геттерированая в планарных структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  150–153