Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Изопериодическая гетероструктура
$p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te${-}n$-PbSe$_{0.08}$Te$_{0.92}$,
полученная методом жидкофазной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1388–1391
-
Исследование ВАХ изопериодических гетеропереходов
$p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te${-}n$-PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 335–337
-
Влияние освещения на ЭДС в $p{-}n$-переходе, инициированную слабым
боковым электрическим полем
Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 380–382
-
Гетерофотодиоды
$p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te${-}n$-PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$
с согласованными параметрами решеток
Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 185–186
© , 2024