RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ковальчук Ю В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Фазовые превращения аморфного бинарного полупроводника в процессе импульсного лазерного воздействия

    Физика твердого тела, 33:1 (1991),  99–103
  2. Об условиях образования галлий-стабилизированной поверхности GaAs (100) в процессе эпитаксии из молекулярных пучков

    Письма в ЖТФ, 17:24 (1991),  94–98
  3. Исследование кристаллического качества твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков

    Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  42–44
  4. Исследование полупроводникового AlGaAs$-$GaAs гетеролазера, изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  6–10
  5. О возможном механизме холодного ядерного синтеза

    Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  91–94
  6. Динамика плавления и кристаллизации тонких аморфных имплантированных слоев кремния под действием наносекундных лазерных импульсов

    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  13–17
  7. Лазерная очистка подложки для молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия: исследование с помощью дифракции быстрых электронов

    Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  67–69
  8. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения (обзор)

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  1945–1969
  9. О восстановлении люминесцентных свойств имплантированного фосфида индия под действием импульсного лазерного излучения

    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1217–1222
  10. Динамика плавления кристаллического фосфида индия под действием наносекундного лазерного импульса

    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1119–1122
  11. Аномальное поведение оптических характеристик расплава фосфида индия, полученного при воздействии наносекундного лазерного импульса

    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1115–1119
  12. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига

    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
  13. Инжекционный гетеролазер InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом

    ЖТФ, 55:10 (1985),  2034–2036
  14. О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов

    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  921–924
  15. О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия

    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920
  16. Динамика коэффициента отражения кристаллических $Si$ и $Ga\,As$ при воздействии пикосекундных лазерных импульсов

    Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  761–765
  17. Влияние воздействия ультракоротких лазерных импульсов на электрофизические свойства карбида кремния

    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  669–671
  18. Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия

    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  368–371
  19. Двухдлинноволновый лазерный отжиг полупроводников

    ЖТФ, 54:7 (1984),  1408–1410
  20. Нелинейная интерферометрия

    ЖТФ, 54:5 (1984),  896–904
  21. Техника стоячих рентгеновских волн в исследовании лазерной амортизации арсенида галлия

    Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1402–1405
  22. К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2224–2228
  23. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  235–241
  24. Новый фазовый переход в SiC и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов

    Письма в ЖТФ, 9:22 (1983),  1373–1376
  25. О возможностях метода фотолюминесценции в исследовании лазерной аморфизации арсенида галлия

    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1298–1301
  26. Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом

    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1294–1297
  27. Аморфизация монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов

    Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  897–900
  28. Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига

    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  850–853

© МИАН, 2024