Мячин В Е

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фазовые превращения аморфного бинарного полупроводника в процессе импульсного лазерного воздействия
   
   Физика твердого тела, 33:1 (1991),  99–103
2. Об условиях образования галлий-стабилизированной поверхности GaAs (100) в процессе эпитаксии из молекулярных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 17:24 (1991),  94–98
3. Исследование кристаллического качества твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  42–44
4. Линейки мощных полупроводниковых лазеров, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  31–34
5. Исследование полупроводникового AlGaAs$-$GaAs гетеролазера, изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  6–10
6. О возможном механизме холодного ядерного синтеза
   
   Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  91–94
7. Динамика плавления и кристаллизации тонких аморфных имплантированных слоев кремния под действием наносекундных лазерных импульсов
   
   Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  13–17
8. Лазерная очистка подложки для молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия: исследование с помощью дифракции быстрых электронов
   
   Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  67–69
9. О восстановлении люминесцентных свойств имплантированного фосфида индия под действием импульсного лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1217–1222
10. Динамика плавления кристаллического фосфида индия под действием наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1119–1122
11. Аномальное поведение оптических характеристик расплава фосфида индия, полученного при воздействии наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1115–1119
12. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
13. Инжекционный гетеролазер InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2034–2036
14. О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  921–924
15. О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920
16. Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  368–371
17. Двухдлинноволновый лазерный отжиг полупроводников
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1408–1410