Погорельский Ю В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фазовые превращения аморфного бинарного полупроводника в процессе импульсного лазерного воздействия
   
   Физика твердого тела, 33:1 (1991),  99–103
2. Об условиях образования галлий-стабилизированной поверхности GaAs (100) в процессе эпитаксии из молекулярных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 17:24 (1991),  94–98
3. Исследование кристаллического качества твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  42–44
4. Линейки мощных полупроводниковых лазеров, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  31–34
5. О возможном механизме холодного ядерного синтеза
   
   Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  91–94
6. Динамика плавления и кристаллизации тонких аморфных имплантированных слоев кремния под действием наносекундных лазерных импульсов
   
   Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  13–17
7. Лазерная очистка подложки для молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия: исследование с помощью дифракции быстрых электронов
   
   Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  67–69
8. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения (обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  1945–1969
9. Динамика плавления кристаллического фосфида индия под действием наносекундного лазерного импульса
   
   Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1119–1122
10. О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  921–924
11. О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920
12. Динамика коэффициента отражения кристаллических $Si$ и $Ga\,As$ при воздействии пикосекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  761–765
13. Вынужденное рассеяние Мандельштама–Бриллюэна и усиление ультразвука светом при рассеянии вперед
    
    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1735–1738
14. Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1281–1286
15. Влияние свободных носителей на вынужденное рассеяние Мандельштама–Бриллюэна в пьезополупроводнике в присутствии постоянного электрического поля
    
    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2802–2804
16. Новый фазовый переход в SiC и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 9:22 (1983),  1373–1376
17. О возможностях метода фотолюминесценции в исследовании лазерной аморфизации арсенида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1298–1301