Казакевич Л А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности отжига компенсирующих радиационных дефектов в бездислокационном $n$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1142–1145
2. Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов при облучении бездислокационного $n$-кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  110–113
3. Влияние деформационных напряжений границы раздела Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  517–520
4. Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  748–751
5. Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах в $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  722–725
6. Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  499–502
7. Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  767–770
8. Энергия активации термической ионизации радиационных дефектов в дислокационном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  345–347
9. Радиационное изменение времени жизни носителей заряда в дислокационном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  543–545
10. Взаимодействие точечных и групповых радиационных дефектов в дислокационном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1517–1519