Груздов Владимир Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями
   
   Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1287–1290
2. Концентрация и подвижность электронов в InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  35–43
3. Фотолюминесцентные исследования захвата носителей в квантовую яму ДГС InGaAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1983–1988
4. Спиновое расщепление зоны проводимости в InP
   
   Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  347–350
5. Мезаполосковые InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия
   
   ЖТФ, 55:9 (1985),  1872–1876
6. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
   
   ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
7. Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (${\lambda=1.55}$ мкм)
   
   ЖТФ, 54:10 (1984),  2047–2050
8. Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2036–2040
9. Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1413–1416
10. Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1034–1038
11. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297