Строкан Никита Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом $n$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1962–1970
2. Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур
   
   Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  477–480
3. К вопросу о радиационной стойкости планарных детекторов на основе высокоомного кремния
   
   Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  69–73
4. Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов
   
   Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  91–94
5. К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений $\alpha$-частицами
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  852–858
6. Приложение методики РОР с прецизионным разрешением к анализу многокомпонентных пленок
   
   ЖТФ, 59:8 (1989),  159–161
7. Об использовании кремниевых структур типа М$-$П$-$М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1613–1617
8. Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых $n^{+}{-}p{-}p^{+}$-структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  478–482
9. Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле $p{-}n$-перехода
   
   Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1629–1633
10. Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1526–1528
11. Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1239–1243
12. Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1096–1100
13. Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую способность детекторов короткопробежных частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1883–1887
14. Теория компенсации полупроводников методом дрейфа ионов легирующей примеси
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1673–1680
15. Ударная ионизация в резких $p^{+}{-}n$-переходах при динамической фокусировке электрического поля треком сильно ионизирующей частицы
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1388–1393
16. Особенности барьерной емкости $p^{+}{-}n$-структур в режиме инжекции
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  291–295
17. Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  565–569
18. Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми планарными детекторами
    
    ЖТФ, 56:10 (1986),  1987–1989
19. Процесс установления концентрации в дрейфующем пакете неравновесных носителей, инжектированных в $p{-}n$-переход
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1856–1860
20. Об использовании электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда $p{-}n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1234–1238
21. Влияние температуры на захват носителей локальными скоплениями примесей
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  350–353
22. О предельной разрешающей способности кремниевых детекторов короткопробежных частиц
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1254–1258
23. Влияние локальных скоплений примесей на форму спектральной линии полупроводниковых детекторов
    
    ЖТФ, 55:7 (1985),  1400–1405
24. Форма линии и разрешающая способность детекторов излучений при спектрометрии импульсов тока
    
    ЖТФ, 55:6 (1985),  1130–1135
25. Захват носителей тока локальными скоплениями примесей в электрическом поле $p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  70–76
26. Исследование примесных скоплений в чистых материалах по форме спектров при аннигиляции пар электрон–позитрон
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  244–249
27. Свойства субмикронных слоев на чистом германии, получаемых ионно-лазерным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  62–67
28. Кинетика быстродействующих $p{-}n$-фотодиодов на материалах с собственной проводимостью
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  143–146
29. Особенности кинетики тока, ограниченного объемным зарядом в $p{-}n$-переходах с электронейтральной базой
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  139–142