Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе
жидкофазной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1737–1741
-
Плазмон-фононные моды и непараболичность зоны проводимости
в эпитаксиальных слоя InGaAs/InP
Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1146–1156
-
Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах
InGaAs/InP
Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 30–34
-
Высокоэффективные тонкопленочные солнечные элементы (ТСЭ)
для преобразования концентрированного излучения
ЖТФ, 57:9 (1987), 1805–1810
-
Тонкопленочные $Al\,Ga\,As-Ga\,As$ солнечные фотоэлементы для преобразования концентрированного солнечного излучения
Письма в ЖТФ, 12:19 (1986), 1197–1202
-
Излучательные свойства эпитаксиальных слоев $Ga\,As$, отделенных от подложки
Письма в ЖТФ, 11:9 (1985), 550–553
-
Тонкопленочные солнечные элементы (ТСЭ)
на гетеропереходах (Al, Ga)As
Письма в ЖТФ, 10:8 (1984), 455–459
© , 2024