Данилова Т Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1971–1976
2. Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda=3.2{-}3.4$ мкм)
   
   Письма в ЖТФ, 18:22 (1992),  6–10
3. Генерация когерентного излучения на $n{-}n$-границе в ДГС GaInAsSb лазерах
   
   Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  18–24
4. Влияние интерфейсной рекомбинации на пороговые характеристики GaInAsSb/GaSb лазеров
   
   Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  54–59
5. Стабилизация излучения при наработке зарощенного InGaAsSb$-$GaSb гетеролазера ($\lambda=2$ мкм)
   
   Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  56–60
6. Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе GaInAsSb
   
   ЖТФ, 58:8 (1988),  1623–1626
7. Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости ($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)
   
   Письма в ЖТФ, 14:20 (1988),  1839–1843
8. Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)
   
   Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675
9. Расширение спектральной фоточувствительности варизонных Р-П-структур за счет эффекта переизлучения
   
   Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1241–1245
10. Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  502–506
11. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  753–755