Маляренко А М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202
2. Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033
3. Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111
4. Терагерцевый отклик от биоткани как основа диагностики и лечения в персонифицированной медицине
   
   ЖТФ, 90:9 (2020),  1502–1505
5. Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1353–1357
6. Терагерцевый отклик олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1230–1237
7. Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1047–1054
8. Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  644–654
9. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1563–1573
10. Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1557–1562
11. Распределение радиационных дефектов и физическая природа «аномальных» спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных $\alpha$-частицами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  844–848
12. Критерий оптимальности просветления оптической системы воздух — SiO$_{x}$ — поликристаллический Si-монокристаллический Si в спектральной области 550$-$950 нм
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  823–826
13. Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую способность детекторов короткопробежных частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1883–1887
14. Перенос заряда в структурах кремниевых детекторов с встроенным полем
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1394–1399
15. Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  565–569
16. Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми планарными детекторами
    
    ЖТФ, 56:10 (1986),  1987–1989
17. О предельной разрешающей способности кремниевых детекторов короткопробежных частиц
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1254–1258
18. Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 2}$) на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2191–2195
19. Фотоэлектрические характеристики системы $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-поликристаллический $Si-Ge$
    
    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  675–679
20. Спектральные характеристики селективных фотопроемников для видимой и ультрафиолетовой областей спектра
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  354–358
21. Исправление к статье « Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний» (ФТП, т. 17, в. 9, стр. 1648–1651)
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2232
22. Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1648–1651