Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Произведение $R_{0}A$ в InAs $p{-}n$-переходах
Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1686–1690
-
Поверхностно-барьерные структуры
Au${-}p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1528–1529
-
О механизмах рекомбинации носителей тока
в $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 789–792
-
Об электрофизических и фотоэлектрических свойствах эпитаксиальных
диодных структур на основе InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2195–2198
-
О временах носителей тока в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As,
легированных Zn и Mn
Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 537–538
-
О механизмах рекомбинации в кристаллах арсенида индия
Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 403–406
© , 2024