Курышев Г Л

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрофизические свойства планарных $n^{+}{-}p$-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1245–1250
2. Энергетический спектр локализованных состояний аморфных слоев SiN$_{x}$
   
   Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  84–86
3. Резонансное туннелирование электронов в барьере Шоттки на арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1944–1948
4. Релаксация неравновесного поверхностного потенциала МДП структур в режиме постоянного заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1042–1048
5. Зарядовые эффекты в МДП структурах на антимониде индия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  413–415
6. Туннельная спектроскопия фононов в арсениде индия
   
   Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2187–2188
7. Увеличение фотоответа в структурах металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) после приложения сильного электрического поля
   
   Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1885–1886