Лантратов Владимир Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе
   
   Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1022–1029
2. Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1194–1199
3. Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах
   
   Письма в ЖТФ, 13:24 (1987),  1481–1485
4. Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия
   
   Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  913–918
5. Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода
   
   Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1262–1270
6. Высокоэффективные информационно-энергетические AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  435–439
7. Поведение AlGaAs гетерофотоэлементов при низких уровнях освещения (10$^{-1}$–10$^{-3}$ Вт/см$^{2}$) в диапазоне температур 173–373 K
   
   ЖТФ, 55:10 (1985),  2004–2009
8. Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных $p{-}n$-переходов
   
   Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1589–1596
9. Гетерофотоэлементы с низким значением обратного тока насыщения
   
   Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  276–281
10. Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$ перехода
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1658–1660
11. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2168–2172