Сараджишвили Н М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокоэффективные информационно-энергетические AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  435–439
2. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
   
   ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
3. Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа AlGaAs гетерофотоэлементов
   
   ЖТФ, 55:6 (1985),  1124–1129
4. Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  668–673
5. Тонкопленочные AlGaAs гетерофотоэлементы с удаленной GaAs подложкой
   
   ЖТФ, 54:6 (1984),  1215–1218
6. К вопросу об эффективности фотоэлектрического преобразования коротких импульсов излучения
   
   ЖТФ, 54:5 (1984),  979–982
7. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP
   
   Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
8. Фотоэлектролюминесценция в AlGaAs-гетероструктуpax
   
   Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1058–1061