Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых
растворов GaSb$-$InAs
Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1397–1406
-
Неохлаждаемые фотодиоды на основе
InAs/InAsSbP для спектрального диапазона
2$-$3.5 мкм
Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 27–32
-
Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения
и умножения для области спектра
1.6$-$2.4 мкм
Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 71–76
-
Сверхбыстродействующий
$p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb
для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм
Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 15–19
-
Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения
и умножения
на основе GaInAsSb/GaAlAsSb
Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 986–991
-
Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$
Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 481–485
-
Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$
Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1311–1315
© , 2024