Данильченко В Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Генерация и регистрация пикосекундных оптических импульсов в InGaAsP/InP ($\lambda=1.5{-}1.6$ мкм) лазерах с пассивной модуляцией добротности
   
   Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  6–9
2. Кинетика фототока в арсенидгаллиевых структурах со встроенным потенциальным барьером
   
   Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1565–1570
3. Механизм усиления и кинетика фототока в вертикальных фотопроводниках на основе гетероструктуры AlGaAs$-$GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1842–1846
4. Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$
   
   Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1311–1315
5. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
   
   ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
6. Исследование биполярных транзисторов на основе двойной N${-}$p${-}$N AlGaAs$-$GaAs гетероструктуры
   
   ЖТФ, 55:6 (1985),  1224–1227
7. Исследование вертикальных полевых фототранзисторов на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока
   
   Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1731–1735
8. Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1460–1463
9. Исследование эффективности инжекции $p{-}n$-переходов на основе слабо легированного GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  167–169
10. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
11. Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных эпитаксиальных слоях GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1953–1956
12. Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1516–1519