Раренко И М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с анодно-окисленными поверхностями
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1100–1103
2. Исследование объемных и поверхностных кинетических свойств кристаллов $n$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в области температур ${0.5<T<50}$ K
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  585–591
3. Концентрация собственных носителей и эффективная масса электронов в Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  468–472
4. Влияние ультразвуковой обработки на экситонную и примесную люминесценцию CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1243–1245
5. Рекомбинация в Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te ($x\cong 0.28{-}0.35$, $y\cong 0.01{-}0.02$)
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1183–1187
6. Механизмы изменения электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Te под действием ультразвука
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  409–412
7. К аномалии температурных зависимостей зонных параметров в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика твердого тела, 32:1 (1990),  43–48
8. Особенности гальваномагнитных эффектов в $n$-Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te при переходе металл$-$диэлектрик
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1766–1771
9. Явления переноса и рекомбинация в твердых растворах Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\sim 0.1$)
   
   Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1490–1493
10. Гальваномагнитные явления в кристаллах $n$-Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Tе и $n$-Hg$_{1-y}$Mn$_{y}$Te с ${\varepsilon_{g}>0}$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1032–1037
11. Особенности осцилляций Шубникова-де–Гааза в Mn$_{0.11}$Hg$_{0.89}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  335–338
12. Отрицательное продольное магнитосопротивление в бесщелевом Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  886–892
13. Аномальная анизотропия магнитосопротивления бесщелевого $p$-HgMnTe
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  1970–1979
14. Исследование зонной структуры CdSb
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1706–1709
15. Влияние $5d$-электронов ртути на захлопывание запрещенной зоны в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1658–1661
16. Анизотропия позитронной аннигиляции в монокристаллах CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1110–1112
17. Влияние ультразвука на гальваномагнитные эффекты в $n$-(Cd, Hg)Te
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1104–1106
18. Статическая диэлектрическая проницаемость бесщелевых полупроводников Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  462–467
19. Фототермомагнитный эффект и фотопроводимость в варизонных кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в СВЧ диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  263–267