Кальфа А А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1574–1579
2. Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1024–1027
3. Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных резонансно-туннельных диодов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  896–899
4. Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  776–782
5. Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1187–1189
6. Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с селективным легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  521–526
7. Резонансное туннелирование в диодах с двухбарьерной гетероструктурой
   
   Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  76–78
8. Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2090–2092
9. Горячие электроны в гетероструктурах с селективным легированием (обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1353–1363
10. Перенос электронов в гетероструктурах с селективным легированием в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  881–885
11. Двумерный электронный газ в структуре металл–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs с селективным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  468–471
12. Отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур с селективным легированием на основе In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As$-$InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2228–2231
13. Особенности переноса электронов в гетероструктурах с селективным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1147–1150
14. Характеристики гетероперехода в гетероструктуре с селективным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1025–1029
15. Вольтамперная характеристика барьера Шоттки с гетеропереходом в области пространственного заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1901–1904
16. Аналитическая теория статического домена у затвора полевого транзистора
    
    ЖТФ, 53:3 (1983),  592–594
17. Физические принципы работы коротких диодов Ганна с двухзонным катодом
    
    ЖТФ, 53:1 (1983),  203–206
18. Динамическая отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур с селективным легированием
    
    Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  460–464