|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 116–123
-
Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 711–716
-
Влияние примесного состава $n$-Si на радиационное дефектообразование
и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда
при $\gamma$-облучении
Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1332–1338
-
Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах
и влияние на них глубоких центров
Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 479–486
-
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 607–611
-
Лавинный пробой при больших плотностях тока
ЖТФ, 57:9 (1987), 1843–1845
-
Влияние радиационных дефектов на вольтамперную характеристику
кремниевых многослойных структур
Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 532–534
-
Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику
кремниевых многослойных структур
Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 474–478
© , 2024