Мнацаканов Т Т

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Вольт-амперная характеристика мощных диодных структур с резкой асимметрией инжектирующей способности эмиттеров
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  524–532
2. Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  75–82
3. $S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  470–477
4. Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  69–73
5. Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC
   
   ЖТФ, 88:10 (2018),  1544–1550
6. Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1125–1130
7. О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  830–834
8. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  234–239
9. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  408–414
10. Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1668–1670
11. О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках $n$- и $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1658–1663
12. О влиянии эффекта полного увлечения неосновных носителей заряда основными на свойства многослойных полупроводниковых структур
    
    ЖТФ, 56:9 (1986),  1827–1829
13. Влияние радиационных дефектов на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  532–534
14. О соотношении Эйнштейна в полупроводниках в условиях сильного электронно-дырочного рассеяния
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1293–1296
15. Переходный процесс переключения диффузионного $p{-}n$ перехода
    
    ЖТФ, 53:1 (1983),  189–191
16. Исследование влияния оже-рекомбинации на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  474–478