Филаретова Г М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1373–1377
2. Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм
   
   Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19
3. Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb ($\lambda=2.2$ мкм, $\eta=4$%, $T=300$ K)
   
   Письма в ЖТФ, 14:9 (1988),  845–849
4. Усиление фототока в изотипной структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb
   
   Письма в ЖТФ, 14:5 (1988),  389–393
5. Спектральная фоточувствительность Au${-}p$-InAs диодов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  903–905
6. Неклассический термоинжекционный ток в InAsSbP/InAs $p{-}n$-структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  762–765
7. О временах носителей тока в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As, легированных Zn и Mn
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  537–538
8. Влияние магнитного поля на фотоэффект диодов Шоттки на основе $p$-InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1119–1122
9. Диоды Шоттки на основе компенсированного $p$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  600–603
10. Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных твердых растворах на основе InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  545–547
11. Продольный фотоэффект в диодах Шоттки Au/$n$-InP с промежуточным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2084–2086
12. Усиление фототока в диодных структурах Au/$n$-InP$\langle\text{Fe}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1991–1994
13. Структура металл–полупроводник на основе $p$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  991–996