Мастеров Вадим Фёдорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Параметры тензора кристаллического ГЭП в узлах меди решеток YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$
   
   Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2294–2297
2. Параметры тензора ГЭП в узлах меди решетки La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1313–1316
3. Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1878–1885
4. Примесный центр с частично заполненной $d$-оболочкой в бинарном полупроводнике
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1866–1877
5. Структура примесного центра марганца в антимониде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  89–94
6. Регистрация фазовых переходов в ВТСП с помощью микроволновых радиоимпульсов
   
   Письма в ЖТФ, 18:23 (1992),  18–21
7. Исследование эффекта Джозефсона в слабосвязанных высокотемпературных сверхпроводниках при помощи СВЧ-сканера
   
   Письма в ЖТФ, 18:11 (1992),  31–34
8. Аннигиляция позитронов в дефектных кристаллах Ga$_{2}$S$_{3}$(Se$_{3}$), легированных переходными и редкоземельными элементами
   
   Физика твердого тела, 33:12 (1991),  3479–3483
9. Сравнение экспериментальных и расчетных значений параметров тензора ГЭП для примесных атомов железа в окиси меди
   
   Физика твердого тела, 33:9 (1991),  2699–2704
10. Параметры тензора ГЭП в узлах меди и бария решетки La$_{1.9}$Ba$_{0.1}$CuO$_{4}$, определенные методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 33:6 (1991),  1912–1915
11. Люминесценция примесных центров Eu и Mn в монокристаллах Ga$_{2}$S$_{3}$(Se$_{3}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2042–2044
12. Влияние концентрации марганца на спектр фотолюминесценции GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2024–2027
13. О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида галлия $p$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1589–1592
14. ЭПР аксиального центра иттербия в InP
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1375–1380
15. Структура волновых функций примесных центров переходных элементов в соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  203–207
16. Модель бинарного полупроводника на основе самосогласованного метода непрерывных дробей
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  185–190
17. Параметры тензора градиента электрического поля в узлах бария для YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$, определенные методом мессбауэровской спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3430–3433
18. Центры меди в полупроводниковой и сверхпроводящей фазах YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$
    
    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3150–3154
19. Определение параметров тензора ГЭП в узлах меди в Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8}$ и YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ методом мессбауэровской спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2306–2310
20. Фотолюминесценция Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te, связанная с локальным уровнем Mn$^{+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2160–2166
21. Редкоземельные элементы в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ (Обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  610–630
22. Макроскопические квантовые эффекты в монокристаллах сверхпроводника Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$
    
    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  112–115
23. Особенности поведения Y$-$Ba$-$Cu$-$О керамик в интервале температур 80$-$300 K
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  221–228
24. Свойства сильно легированных кристаллов InP$\langle\text{Yb}\rangle$ и InP$\langle\text{Er}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2229–2231
25. О влиянии РЗЭ на свойства объемных монокристаллов InP
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1496–1499
26. О состоянии примеси европия в дефектных соединениях А$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$ по данным ЭПР и эффекта Мессбауэра
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1307–1309
27. ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов A$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$, легированных марганцем
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1305–1307
28. Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  804–808
29. Особенности структуры металл$-$полупроводник$-$ сверхпроводник$-$полупроводник$-$металл
    
    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  57–60
30. Фотопотемнение и фотоиндуцированный парамагнетизм в пленочных и монолитных образцах стеклообразного As$_{2}$S$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1500–1502
31. Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1253–1257
32. ЭПР связанных дырок в GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  654–656
33. О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  118–122
34. Наблюдение нестационарного эффекта Джозефсона в длинных мостиках из керамики Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$
    
    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1683–1686
35. Генерация третьей гармоники в СВЧ-диапазоне сверхпроводящей керамике
    
    Письма в ЖТФ, 14:16 (1988),  1501–1504
36. Квантовые свойства электромагнитного эффекта в керамиках типа Y$-$Ba$-$Cu$-$O (1 : 2 : 3)
    
    Письма в ЖТФ, 14:14 (1988),  1277–1280
37. ЭПР фотоиндуцированных парамагнитных центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As$-$P$-$S и Ge$-$Tl$-$S
    
    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  881–884
38. Электрические свойства эпитаксиальных слоев фосфида индия, легированного европием
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1727–1730
39. Гальваномагнитные эффекты в эпитаксиальных слоях InP$\langle$Yb$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  489–493
40. Электронный парамагнитный резонанс Er$^{3+}$ в фосфиде индия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  365–366
41. О влиянии лантаноидов на электрические свойства объемных монокристаллов InP
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  347–349
42. Оптические спектры высокого разрешения кристаллов фосфида индия, легированного железом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1524–1527
43. ЭПР и спин-решеточная релаксация ионизованного центра марганца в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  543–545
44. Идентификация пары Mn$-$S в арсениде галлия методом ЭПР
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2093–2095
45. Состояния типа « спинового стекла» в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1867–1869
46. ЭПР фосфида индия, легированного европием
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1841–1843
47. Фото-ЭПР в стеклообразных полупроводниках системы фосфор–сера
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1657–1659
48. Свойства фосфида индия, легированного кислородом и хромом
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1161–1162
49. ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра Fe ($3d^{8}$) в GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  632–635
50. Туннельные эффекты в перезарядке глубоких центров в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  460–463
51. Фотоиндуцированный ЭПР в системе P$-$Se
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  312–314
52. Исследование фотоструктурных превращений в пленках As$_{2}$S$_{3}$ методом фотоиндуцированного парамагнитного резонанса
    
    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  172–178
53. Электронная структура переходных элементов в фосфиде индия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2092–2094
54. ЭПР тригонального комплекса Mn$-$Se в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  755–757
55. Глубокие центры в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  3–23
56. Парамагнитный резонанс и релаксация трехвалентного иттербия в фосфиде индия
    
    Физика твердого тела, 25:5 (1983),  1435–1438
57. Электронная и ядерная магнитные релаксации в кристаллах фосфида индия, активированных марганцем
    
    Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1130–1134
58. Собственные парамагнитные центры и фотоструктурные превращения в пленках As$_{2}$S$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 25:1 (1983),  287–289
59. Оптическое поглощение в кристаллах InP$\langle\text{V}\rangle$, InP$\langle\text{Сr}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2203–2205
60. Электролюминесценция фосфида индия, легированного иттербием
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1879–1880
61. Аналитическое решение проблемы глубокого центра методом непрерывных дробей
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1823–1829
62. Исследование дефектов структуры в системе GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$ методом ЭПР
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1259–1264
63. О природе линии ЭПР с ${g=2.133}$ в кристаллах GaP$\langle\text{Fe}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1130–1132
64. ЭПР и парамагнитная релаксация гадолиния в InP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  948–950


65. Исправление опечатки
    
    УФН, 160:7 (1990),  169
66. Чему учит книга “Мифы теории относительности”?
    
    УФН, 160:4 (1990),  97–101