Федосов А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности пьезосопротивления $\gamma$-облученного $n$-Ge при подсветке
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  754–756
2. Переход от металлической проводимости к активационной в одноосно деформированном $n$-$\text{Ge}\langle\text{Sb}\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2244–2245
3. Об определении параметра анизотропии подвижности в $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1704–1705
4. Пьезосопротивление облученного германия
   
   Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1297–1299
5. Пьезосопротивление облученного $n$-Si со слоистым распределением примеси
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  545–547
6. Об анизотропии пьезосопротивления в облученном $n$-Ge со слоистым распределением примеси
   
   Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1135–1137