Глинчук К Д

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  82–87
2. Некоторые свойства индуцированных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1685–1689
3. Понижение термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1363–1366
4. Влияние облучения протонами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  657–661
5. Индуцированная радиационно-термическим воздействием полоса люминесценции с ${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ эВ в $p$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1659–1663
6. Влияние облучения быстрыми электронами на люминесценцию СЛК эпитаксиальных слоев $p$-GaAs(Si)
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1874–1877
7. Взаимодействие радиационных дефектов с атомами хрома в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  567–569
8. Изменение положения максимума и полуширины полосы люминесценции, обусловленной излучательной рекомбинацией в комплексах $V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ при электронном облучении GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1326–1328
9. Увеличение концентрации центров тушения люминесценции при отжиге облученных электронами кристаллов арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1163–1164
10. Влияние углерода на время жизки неосновных носителей тока в термообработанном кислородосодержащем кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  770–771
11. О влиянии термообработки на время жизни неосновных носителей тока в кислородосодержащем кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  341–343
12. Понижение термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}\text{Zn}_{\text{Ga}}$ при радиационном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  736–739
13. Изменение внутренней квантовой эффективности излучения, обусловленного глубокими центрами люминесценции, при отжиге облученных электронами кристаллов GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  751–753
14. Изменение рекомбинационных свойств глубоких центров люминесценции при отжиге облученных кристаллов GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  164–166