Прохорович А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокотемпературная пластическая деформация и люминесцентные свойства GaAs
   
   Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1390–1394
2. Деформационно-стимулированное изменение концентрации излучающих центров в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  759–761
3. Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  82–87
4. Понижение термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1363–1366
5. Влияние облучения протонами на люминесценцию арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  657–661
6. Индуцированная радиационно-термическим воздействием полоса люминесценции с ${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ эВ в $p$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1659–1663
7. Влияние облучения быстрыми электронами на люминесценцию СЛК эпитаксиальных слоев $p$-GaAs(Si)
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1874–1877
8. Взаимодействие радиационных дефектов с атомами хрома в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  567–569
9. Изменение положения максимума и полуширины полосы люминесценции, обусловленной излучательной рекомбинацией в комплексах $V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$ при электронном облучении GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1326–1328
10. Увеличение концентрации центров тушения люминесценции при отжиге облученных электронами кристаллов арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1163–1164
11. Понижение термической стабильности комплексов $V_{\text{As}}\text{Zn}_{\text{Ga}}$ при радиационном воздействии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  736–739
12. Изменение внутренней квантовой эффективности излучения, обусловленного глубокими центрами люминесценции, при отжиге облученных электронами кристаллов GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  751–753
13. Изменение рекомбинационных свойств глубоких центров люминесценции при отжиге облученных кристаллов GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  164–166