|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Оптоэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла$-$фосфид
галлия
Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1691–1695
-
Отрицательное дифференциальное сопротивление в полупроводниках со
стехиометрическими вакансиями
Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 945–947
-
Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной
зоны в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3}$)$_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$
Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 893–897
-
Самокалиброванный измерительный ИК фотодиод на основе дефектного
полупроводника Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$ для спектрального
диапазона 0.85$-$1.5 мкм
ЖТФ, 60:10 (1990), 188–190
-
Высокоэффективный измерительный фотодиод на основе ртутно-индиевого
теллурида
ЖТФ, 60:6 (1990), 146–148
-
Особенности токопереноса в ПДП структурах со сквозными проводящими
каналами в диэлектрике
Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2191–2193
-
Механизм генерации электрических колебаний, усиления фототока
и $S$-образной ВАХ в ПДП структурах
Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2049–2055
-
Эффект переключения в анизотропных ПДП-структурах
Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 87–90
-
Спектральные характеристики селективных УФ-фотоприемников
с внутренним усилением на основе ПДП-структур
Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 80–81
-
Термостимулированная проводимость в Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$
Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 569–571
© , 2024