RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Грушка Г Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Оптоэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла$-$фосфид галлия

    Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1691–1695
  2. Отрицательное дифференциальное сопротивление в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  945–947
  3. Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3}$)$_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  893–897
  4. Самокалиброванный измерительный ИК фотодиод на основе дефектного полупроводника Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$ для спектрального диапазона 0.85$-$1.5 мкм

    ЖТФ, 60:10 (1990),  188–190
  5. Высокоэффективный измерительный фотодиод на основе ртутно-индиевого теллурида

    ЖТФ, 60:6 (1990),  146–148
  6. Особенности токопереноса в ПДП структурах со сквозными проводящими каналами в диэлектрике

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2191–2193
  7. Механизм генерации электрических колебаний, усиления фототока и $S$-образной ВАХ в ПДП структурах

    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2049–2055
  8. Эффект переключения в анизотропных ПДП-структурах

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  87–90
  9. Спектральные характеристики селективных УФ-фотоприемников с внутренним усилением на основе ПДП-структур

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  80–81
  10. Термостимулированная проводимость в Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  569–571


© МИАН, 2024